DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
4 N-Channel
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
50A (Tj)
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-EASY3B
Tension Drain-Source (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
26.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 34mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
234nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
7240pF @ 1.2kV
