DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
45A
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-EASY1B
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 20mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
149nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
4400pF @ 800V
