F411MR12W2M1HPB76BPSA1
MOSFET
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
60A
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Configuration：
4 N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
6600pF @ 800V
FET Caractéristique：
Silicon Carbide (SiC)
