F433MR12W1M1HB76BPSA1
LOW POWER EASY
F433MR12W1M1HB76BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
25A
Configuration：
4 N-Channel
FET Caractéristique：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 10mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
74nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2200pF @ 800V
