F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Fournisseur Dispositif Emballage：
Module
Configuration：
4 N-Channel (Full Bridge)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
35A
Tension Drain-Source (Vdss)：
650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.45V @ 1.74mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
141nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
6950pF @ 400V
