F445MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
F445MR12W1M1B76BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Configuration：
4 N-Channel (Full Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.55V @ 10mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
62nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1840pF @ 800V
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-EASY1B-2
