FF2MR12KM1HPHPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB
FF2MR12KM1HPHPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
2.13mOhm @ 500A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 224mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1340nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
39700pF @ 800V
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-62MMHB
