FF3MR12KM1HHPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
FF3MR12KM1HHPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
190A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-62MMHB
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4.44mOhm @ 280A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 112mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
800nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
24200pF @ 800V
