FF3MR20KM1HPHPSA1
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
FF3MR20KM1HPHPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
325A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 224mA
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-62MMHB
Tension Drain-Source (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 400A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1560nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
48200pF @ 1200V
