FF4MR12W2M1HB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Fournisseur Dispositif Emballage：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 80mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 200A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
594nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
17600pF @ 800V
