FF4MR20KM1HPHPSA1
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
FF4MR20KM1HPHPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
280A (Tc)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 168mA
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-62MMHB
Tension Drain-Source (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
5.3mOhm @ 300A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1170nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
36100pF @ 1.2kV
