FF6MR12W2M1HB70BPSA1
LOW POWER EASY
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Specifications
Statut de la pièce:
Active
Type de montage:
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage:
-
Grade:
-
Qualification:
-
Boîtier:
Module
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max:
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C:
150A
Configuration:
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
FET Caractéristique:
Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.15V @ 60mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs:
446nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
13200pF @ 800V