FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Fournisseur Dispositif Emballage：
Module
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.55V @ 80mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
496nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
14700pF @ 800V
