FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
MOSFET 6N-CH 750V 620A
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Configuration：
6 N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)：
750V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
620A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.69mOhm @ 620A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.55V @ 200mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1480nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
43000pF @ 470V
