FS03MR12A6MA1BBPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Configuration：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-HYBRIDD-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.55V @ 240mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1320nC @ 15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
400A (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
42500pF @ 600V
