FS13MR12W2M1HB70BPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
Température de fonctionnement：
-
FET Caractéristique：
-
Type de montage：
-
Boîtier：
-
Configuration：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
62.5A (Tc)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 28mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
200nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
6050pF @ 800V
