FS13MR12W2M1HC55BPSA1
LOW POWER EASY
FS13MR12W2M1HC55BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 28mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
200nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
6050pF @ 800V
FET Caractéristique：
Silicon Carbide (SiC)
Configuration：
6 N-Channel
