IPG20N04S408BATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IPG20N04S408BATMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)：
40V
Boîtier：
8-PowerVDFN
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 30µA
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
7.6mOhm @ 17A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2940pF @ 25V
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TDSON-8-10
Puissance - Max：
65W (Tc)
