IPG20N06S2L65AAUMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65AAUMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
12nC @ 10V
Tension Drain-Source (Vdss)：
55V
Boîtier：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 14µA
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
410pF @ 25V
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TDSON-8-10
Puissance - Max：
43W (Tc)
