IRF7103TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
IRF7103TRPBFXTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Boîtier：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Tension Drain-Source (Vdss)：
50V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
3A (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
130mOhm @ 3A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
290pF @ 25V
Puissance - Max：
2W (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-DSO-8-902
