IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
IRF7341TRPBFXTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Boîtier：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Tension Drain-Source (Vdss)：
55V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 4.7A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
740pF @ 25V
Puissance - Max：
2W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-DSO-8-902
