IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
IRF8910TRPBFXTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Boîtier：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)：
20V
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
10A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.55V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
13.4mOhm @ 10A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
960pF @ 10V
Puissance - Max：
2W (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-DSO-8-902
