ISA170170N04LMDSXTMA1
ISA170170N04LMDSXTMA1
ISA170170N04LMDSXTMA1 Specifications
Statut de la pièce:
Active
Type de montage:
Surface Mount
Boîtier:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Grade:
-
Qualification:
-
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration:
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique:
Logic Level Gate
Tension Drain-Source (Vdss):
40V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.7V @ 1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
1100pF @ 20V
Puissance - Max:
1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage:
PG-DSO-8-920
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C:
7.2A (Ta), 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 9.6A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs:
19.5nC @ 10V